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纵观产业链，衬底与外延占据 70%的成本碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节，衬底与外延占据70%的碳化硅器件成本。根据中商产业研究院数据，碳化硅器件的成本构成中，衬底、外延、前段研发费用和其他分别占比为47%，23%，19%，6%，5%，衬底+外延合计约70%，是碳化硅产业链制造的重要组成部分。
衬底和外延层的缺陷水平的降低、掺杂的精准控制及掺杂的均匀性对碳化硅器件的应用至关重要。受制于材料端的制备难度大，良率低，产能小，目前碳化硅衬底及外延层的价值量高于硅材料。
碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型衬底。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，可制成二极管、MOSFET等功率器件，主要应用于新能源汽车、光伏发电等领域;在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，可制成HEMT等微波射频器件，主要应用于5G通讯、卫星等领域。
衬底:晶体生长是核心难点，PVT为主流方法
碳化硅衬底经多个工序，PVT为碳化硅晶体生长的主流方法。碳化硅衬底制备目前主要以高纯碳粉、硅粉为原料合成碳化硅粉，采用物理气相传输法(PVT法)，在单晶炉中生长成为晶体，随后经过切片、研磨、抛光、清洗等步骤制成单晶薄片作为衬底。
晶体生长是核心难点，国内衬底良率偏低。1)SiC晶棒生长速度慢。长度约2cm的 Sic晶棒大约需要7-10天的生长时间(天科合达招股说明书数据)，生长速度仅为Si晶棒的几十分之一;2)晶体生长对各种参数要求高，工艺复杂。在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度等参数，并且生长过程不可见。
我们认为长晶难点在于工艺而非设备本身，目前部分碳化硅村底厂商选择自研长品设备，也有部分厂商选择外购模式。
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